2SJ380(F)
Numărul de produs al producătorului:

2SJ380(F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

2SJ380(F)-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS

Inventar:

12891266
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SJ380(F) Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220NIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
2SJ380

Informații suplimentare

Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R204PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8002-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM5N16FUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 100MA USV