2SJ360(TE12L,F)
Numărul de produs al producătorului:

2SJ360(TE12L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

2SJ360(TE12L,F)-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI

Inventar:

12889879
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SJ360(TE12L,F) Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
155 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PW-MINI
Pachet / Carcasă
TO-243AA
Numărul de bază al produsului
2SJ360

Informații suplimentare

Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

2SJ305TE85LF

MOSFET P-CH 30V 200MA SC59

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2989(T6CANO,A,F

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J36FS,LF

MOSFET P-CH 20V 330MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK100E06N1,S1X

MOSFET N CH 60V 100A TO-220