Numărul de produs al producătorului:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SD2257(Q,M)-DG
Descriere:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12891512
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SD2257(Q,M) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
3 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Curent - Întrerupere colector (Max)
10µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Putere - Max
2 W
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220NIS
Numărul de bază al produsului
2SD2257
Informații suplimentare
Alte nume
2SD2257QM
2SD2257(QM)
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SC3074-O(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1182-Y,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
2SC4883A
TRANSISTOR NPN TO220
