Numărul de produs al producătorului:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Descriere:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12889863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
UOiA
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SB1481(TOJS,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
4 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Curent - Întrerupere colector (Max)
2µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Putere - Max
2 W
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220NIS
Numărul de bază al produsului
2SB1481
Informații suplimentare
Alte nume
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD