Numărul de produs al producătorului:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Descriere:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890736
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SA1930(LBS2MATQ,M Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
2 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
180 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Curent - Întrerupere colector (Max)
5µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Putere - Max
2 W
Frecvență - Tranziție
200MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220NIS
Numărul de bază al produsului
2SA1930
Informații suplimentare
Alte nume
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD