Numărul de produs al producătorului:
TPS1100DR
Product Overview
Producător:
Texas Instruments
DiGi Electronics Cod de parte:
TPS1100DR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 15 V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12813514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
m5Du
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPS1100DR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Texas Instruments
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
15 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+2V, -15V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
791mW (Ta)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
TPS1100
Fișa de date și documente
Pagina produsului producătorului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TEXTISTPS1100DR
TPS1100DRG4
2156-TPS1100DR
TPS1100DRG4-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS6375
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2121
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6375-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6716MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223