CSD25501F3T
Numărul de produs al producătorului:

CSD25501F3T

Product Overview

Producător:

Texas Instruments

DiGi Electronics Cod de parte:

CSD25501F3T-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)

Inventar:

18506 Piese Noi Originale În Stoc
12815905
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

CSD25501F3T Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Texas Instruments
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
FemtoFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
385 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
3-LGA (0.73x0.64)
Pachet / Carcasă
3-XFLGA
Numărul de bază al produsului
CSD25501F3

Fișa de date și documente

Pagina produsului producătorului
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
296-47556-2
296-47556-1
296-47556-6
Pachet standard
250

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRFR2407TRPBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

infineon-technologies

IRF6718L2TRPBF

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

texas-instruments

CSD16411Q3

MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON

infineon-technologies

IRFS4410ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK