Numărul de produs al producătorului:
CSD19535KTT
Product Overview
Producător:
Texas Instruments
DiGi Electronics Cod de parte:
CSD19535KTT-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventar:
1080 Piese Noi Originale În Stoc
12788597
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CSD19535KTT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Texas Instruments
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7930 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (DDPAK-3)
Pachet / Carcasă
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Numărul de bază al produsului
CSD19535
Fișa de date și documente
Pagina produsului producătorului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
296-45538-2
296-45538-6
CSD19535KTT-DG
296-45538-1
-296-45538-1-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2 (1 Year)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CSD13302WT
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
CSD17579Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON