Numărul de produs al producătorului:
CSD18536KTTT
Product Overview
Producător:
Texas Instruments
DiGi Electronics Cod de parte:
CSD18536KTTT-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 349A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventar:
547 Piese Noi Originale În Stoc
12795751
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CSD18536KTTT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Texas Instruments
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Ta), 349A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11430 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (DDPAK-3)
Pachet / Carcasă
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Numărul de bază al produsului
CSD18536
Fișa de date și documente
Pagina produsului producătorului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
296-44122-1
296-44122-2
CSD18536KTTT-DG
296-44122-6
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2 (1 Year)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
CSD17318Q2T
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON