Numărul de produs al producătorului:
CSD17313Q2
Product Overview
Producător:
Texas Instruments
DiGi Electronics Cod de parte:
CSD17313Q2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 5A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Inventar:
3115 Piese Noi Originale În Stoc
12788615
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CSD17313Q2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Texas Instruments
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-WSON (2x2)
Pachet / Carcasă
6-WDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
CSD17313
Fișa de date și documente
Pagina produsului producătorului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
296-27233-2
-296-27233-1-DG
-CSD17313Q2-NDR
296-27233-1
296-27233-6
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
CSD22204WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
