Numărul de produs al producătorului:
TSM7ND65CI
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM7ND65CI-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
3 Piese Noi Originale În Stoc
12900020
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM7ND65CI Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1124 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
TSM7
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM120N06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
