Numărul de produs al producătorului:

TSM70N600ACL

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM70N600ACL-DG

Descriere:

700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Descriere detaliată:

N-Channel 700 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK SL)

Inventar:

RFQ Online

12999460

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

TSM70N600ACL Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Taiwan Semiconductor

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

700 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

743 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

83W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-262S (I2PAK SL)

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Short Leads, I2PAK

Numărul de bază al produsului

TSM70

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

1801-TSM70N600ACL

Pachet standard

4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IXFK120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 TO2

IXFR130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 ISO

IXFX120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 PLU

IXFN130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 SOT