Numărul de produs al producătorului:
TSM080NB03CR
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM080NB03CR-DG
Descriere:
30V, 59A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 3.1W (Ta), 55.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
12998391
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM080NB03CR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Ta), 59A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1097 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
TSM080
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1801-TSM080NB03CRTR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TSM080NB03CR RLG
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM080NB03CR RLG-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFI3306GPBF
IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
TSM4NB60CP
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM650N15CS
150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER