TSM055N03EPQ56
Numărul de produs al producătorului:

TSM055N03EPQ56

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM055N03EPQ56-DG

Descriere:

30V, 80A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x5.8)

Inventar:

12998898
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TSM055N03EPQ56 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1210 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (5x5.8)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
TSM055

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
1801-TSM055N03EPQ56TR
Pachet standard
5,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
GSFP0380
PRODUCĂTOR
Good-Ark Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6000
DiGi NUMĂR DE PARTE
GSFP0380-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
TSM055N03EPQ56 RLG
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
135
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM055N03EPQ56 RLG-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
taiwan-semiconductor

TSM089N08LCR

80V, 67A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM9435CS

-30V, -5.3A, SINGLE P-CHANNEL PO

goford-semiconductor

GT025N06D5

N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.