Numărul de produs al producătorului:
TSM035NB04CZ
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM035NB04CZ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 157A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
3850 Piese Noi Originale În Stoc
12947702
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM035NB04CZ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 157A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6990 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TSM035
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM035NB04CZ C0G
1801-TSM035NB04CZ
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6620TRPBF
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
STP21NM50N
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
PSMN1R9-40PL,127
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
