Numărul de produs al producătorului:
STW57N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW57N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
485 Piese Noi Originale În Stoc
12875898
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW57N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW57
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-13125-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP200N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
STL4N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
IRFP250
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
