Numărul de produs al producătorului:
STW56N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW56N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
239 Piese Noi Originale În Stoc
12874428
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW56N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
358W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW56
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15594-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9E3R2-40B,127
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
STH300NH02L-6
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
STL25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
