Numărul de produs al producătorului:
STW3N170
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW3N170-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
Inventar:
12945530
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW3N170 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
PowerMESH™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW3N170
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-16332-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTH2N150L
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
176
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH2N150L-DG
PREȚ UNIC
8.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
STH140N6F7-6
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
STW15NK90Z
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
