Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STW19NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW19NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
RFQ Online
12876822
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW19NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW19
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STW19NM60N
Informații suplimentare
Alte nume
-497-13792-5
497-13792-5
Pachet standard
445
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP26N60LPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1789
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP26N60LPBF-DG
PREȚ UNIC
5.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX32N80Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
767
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX32N80Q3-DG
PREȚ UNIC
22.90
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH28N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
182
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH28N60P3-DG
PREȚ UNIC
3.54
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTH26N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH26N60P-DG
PREȚ UNIC
5.53
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTH20N65X
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
595
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH20N65X-DG
PREȚ UNIC
5.92
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP77N6F6
MOSFET N-CH 60V 77A TO220
STE180NE10
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
STB75NF75LT4
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
STB8N90K5
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK