Numărul de produs al producătorului:

STU7N65M6

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STU7N65M6-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

RFQ Online

12876364

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

STU7N65M6 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

STMicroelectronics

Ambalare

Tube

Serie

MDmesh™ M6

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.75V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

6.9 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

220 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

60W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

I-PAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

STU7N65

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

stmicroelectronics

STLD200N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW48NM60N

MOSFET N-CH 600V 44A TO247

stmicroelectronics

STP11N65M5

MOSFET N-CH 650V 9A TO220

stmicroelectronics

STW56NM60N

MOSFET N-CH 600V 45A TO247