Numărul de produs al producătorului:

STU7N60DM2

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STU7N60DM2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 6A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

RFQ Online

12872472

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

STU7N60DM2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

STMicroelectronics

Ambalare

Tube

Serie

MDmesh™ DM2

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

324 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

60W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

I-PAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

STU7N60

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

stmicroelectronics

STP13N95K3

MOSFET N-CH 950V 10A TO220

stmicroelectronics

STW16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

stmicroelectronics

STL260N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK