Numărul de produs al producătorului:

STU5N65M6

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STU5N65M6-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventar:

RFQ Online

12879195

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

STU5N65M6 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

STMicroelectronics

Ambalare

Tube

Serie

MDmesh™ M6

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.75V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

5.1 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

170 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

45W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-251 (IPAK)

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

STU5N65

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

stmicroelectronics

STD3LN62K3

MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK

stmicroelectronics

STB13NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

stmicroelectronics

STW18NK80Z

MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3

stmicroelectronics

STW12N150K5

MOSFET N-CH 1500V 7A TO247