STU13NM60N
Numărul de produs al producătorului:

STU13NM60N

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STU13NM60N-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventar:

RFQ Online
12878640
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STU13NM60N Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STU13

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STF,I,P,U,W13NM60N

Informații suplimentare

Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STB11N65M5

MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

stmicroelectronics

STD75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

stmicroelectronics

STN3P6F6

MOSFET P-CH 60V SOT223

stmicroelectronics

STL115N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT