Numărul de produs al producătorului:
STQ2NK60ZR-AP
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STQ2NK60ZR-AP-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12880642
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STQ2NK60ZR-AP Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numărul de bază al produsului
STQ2
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
STQ2NK60ZRAP
497-12345-3
497-12345-1
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STQ2HNK60ZR-AP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
9835
DiGi NUMĂR DE PARTE
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STFI13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
STE139N65M5
MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
STF40NF06
MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
