Numărul de produs al producătorului:
STP8NM60D
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP8NM60D-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880364
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP8NM60D Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP8N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-6194-5
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP80R900P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP80R900P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STF24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
STP34N65M5
MOSFET N-CH 650V 28A TO220
