STP8NK80Z
Numărul de produs al producătorului:

STP8NK80Z

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STP8NK80Z-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 6.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

1024 Piese Noi Originale În Stoc
12877384
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STP8NK80Z Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP8NK80

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
ST(P,W)8NK80Z(FP)

Informații suplimentare

Alte nume
497-15685-5
-497-15685-5
STP8NK80Z-DG
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STL23NM50N

MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8

stmicroelectronics

STP36NF06L

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

stmicroelectronics

STD3NM60N

MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK

stmicroelectronics

STP11NM60FP

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP