Numărul de produs al producătorului:
STP7N60M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP7N60M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
2571 Piese Noi Originale În Stoc
12878838
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
DJWA
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP7N60M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
271 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP7N60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
STP7N60M2-DG
497-13975-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB22N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STL70N10F3
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
