Numărul de produs al producătorului:
STP65N045M9
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP65N045M9-DG
Descriere:
N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12978610
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP65N045M9 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4610 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
245W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP65N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-STP65N045M9
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN2451UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP3160LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3404LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
