Numărul de produs al producătorului:
STP4NB80
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP4NB80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12873958
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP4NB80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
PowerMESH™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP4N
Informații suplimentare
Alte nume
497-2781-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPP04N80C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
590
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP04N80C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW38NB20
MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
STY34NB50
MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
STD86N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
