Numărul de produs al producătorului:
STP4NB100
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP4NB100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12878891
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP4NB100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
PowerMESH™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP4N
Informații suplimentare
Alte nume
497-2647-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFBG30PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4495
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBG30PBF-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP3N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
273
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP3N100P-DG
PREȚ UNIC
2.08
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STH270N4F3-6
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
STS13N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
