Numărul de produs al producătorului:
STP3N80K5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP3N80K5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
841 Piese Noi Originale În Stoc
12879389
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP3N80K5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH5™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP3N80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFBE30PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2597
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBE30PBF-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N80P-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
STP5NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
