Numărul de produs al producătorului:
STP30NM30N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP30NM30N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 30A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12873916
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP30NM30N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP30N
Informații suplimentare
Alte nume
STP30NM30N-DG
497-7521-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP36N30P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
793
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP36N30P-DG
PREȚ UNIC
2.19
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
STU7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
STF5N95K3
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP