STP20NM60
Numărul de produs al producătorului:

STP20NM60

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STP20NM60-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

927 Piese Noi Originale În Stoc
12874851
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STP20NM60 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
192W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP20

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STx20NM60(-1,FP)

Informații suplimentare

Alte nume
497-3184-5
497-3184-5-NDR
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STFI10NK60Z

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP

stmicroelectronics

STI260N6F6

MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK

stmicroelectronics

STL10N3LLH5

MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP120NF04

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB