Numărul de produs al producătorului:
STP14NM65N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP14NM65N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12879225
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP14NM65N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP14N
Informații suplimentare
Alte nume
-497-7024-5
1805-STP14NM65N
497-7024-5
1026-STP14NM65N
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R380E6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R380E6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK10E60W,S1VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK10E60W,S1VX-DG
PREȚ UNIC
1.31
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STB6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
