Numărul de produs al producătorului:
STP12N120K5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP12N120K5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
958 Piese Noi Originale În Stoc
12879449
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
mK6s
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP12N120K5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ K5
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP12
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15554-5
-1138-STP12N120K5
497-STP12N120K5
497-15554-5-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
STD13N50DM2AG
POWER TRANSISTORS
STN2NF10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
