Numărul de produs al producătorului:
STP120NH03L
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP120NH03L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12878527
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP120NH03L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
STripFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP120
Informații suplimentare
Alte nume
STP120NH03L-DG
497-7501-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP042N03LGXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
238
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP042N03LGXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STB5NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
STI17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK