Numărul de produs al producătorului:
STP120NF10
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP120NF10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
18341 Piese Noi Originale În Stoc
12873883
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP120NF10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
STripFET™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP120
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-4118-5
497-4118-5-NDR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB60NE06L-16T4
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
STD35N3LH5
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
STL160N4F7
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
