Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STP11NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP11NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
RFQ Online
12877368
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP11NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP11N
Informații suplimentare
Alte nume
STP11NM60N-DG
497-5887-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFP10N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
70
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP10N60P-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP8N70X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
28
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP8N70X2-DG
PREȚ UNIC
1.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCP11N60F
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
996
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP11N60F-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
STF11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK