Numărul de produs al producătorului:
STL8P2UH7
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STL8P2UH7-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Inventar:
12877657
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STL8P2UH7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2390 pF @ 16 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerFlat™ (2x2)
Pachet / Carcasă
6-PowerWDFN
Numărul de bază al produsului
STL8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-14997-6
497-14997-2
497-14997-1
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STFI24N60M2
MOSFET N CH 600V 18A TO281
STF16N50U
MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
STW26NM60
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
