Numărul de produs al producătorului:
STL180N6F7
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STL180N6F7-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Inventar:
12872416
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STL180N6F7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4825 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerFlat™ (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
STL180
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TPH2R306NH,L1Q
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
2815
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPH2R306NH,L1Q-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
