STI6N80K5
Numărul de produs al producătorului:

STI6N80K5

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STI6N80K5-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online
12881221
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STI6N80K5 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
SuperMESH5™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
255 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI6

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
ST(B,D,I,P)6N80K5

Informații suplimentare

Alte nume
497-15017-5
-497-15017-5
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFBE20S

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9640S

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

stmicroelectronics

STU4N62K3

MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK

stmicroelectronics

STL60N10F7

MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT