Numărul de produs al producătorului:
STI30NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI30NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12877705
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI30NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI30N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI60R125CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
490
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI60R125CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STI16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
STF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ.,
STF26N60DM6
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
