Numărul de produs al producătorului:
STI18NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI18NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12948191
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI18NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI18N
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UJ4C075060K3S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
NTPF450N80S3Z
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
NTMFSC4D2N10MC
MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
