Numărul de produs al producătorului:
STI18N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI18N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
348 Piese Noi Originale În Stoc
12875459
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI18N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI18N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-13272-5
-497-13272-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI60R190C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
495
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI60R190C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP18N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
896
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP18N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP40NF12
MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
STW13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
