STI100N10F7
Numărul de produs al producătorului:

STI100N10F7

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STI100N10F7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online
12945727
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STI100N10F7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
STripFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI100

Informații suplimentare

Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STP27N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

stmicroelectronics

STP55NF06FP

MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP

stmicroelectronics

STL35N75LF3

MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75NF75

MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB