Numărul de produs al producătorului:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STH80N10LF7-2AG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
12946006
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STH80N10LF7-2AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STH80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RSJ650N10TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
970
DiGi NUMĂR DE PARTE
RSJ650N10TL-DG
PREȚ UNIC
2.94
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
HUF75545S3ST
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6270
DiGi NUMĂR DE PARTE
HUF75545S3ST-DG
PREȚ UNIC
1.50
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB14NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
AUIRFS8405TRL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
2SK536-TB-E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
