Numărul de produs al producătorului:
STH275N8F7-6AG
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STH275N8F7-6AG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventar:
1976 Piese Noi Originale În Stoc
12880961
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STH275N8F7-6AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
315W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-6
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
STH275
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15474-6
497-15474-2
497-15474-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
