Numărul de produs al producătorului:
STH130N8F7-2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STH130N8F7-2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 205W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Inventar:
12875125
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STH130N8F7-2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
STripFET™ F7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STH130
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFS4010TRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
31872
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS4010TRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.57
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STT2PF60L
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
STI25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
STW57N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
