Numărul de produs al producătorului:
STH110N10F7-6
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STH110N10F7-6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventar:
12946455
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STH110N10F7-6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5117 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-6
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
STH110
Informații suplimentare
Alte nume
-497-13837-1
-497-13837-2
497-13837-6
497-13837-2
-497-13837-6
497-13837-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUM70040M-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
799
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUM70040M-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDZ451PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDU6N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4