STFI13N65M2
Numărul de produs al producătorului:

STFI13N65M2

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STFI13N65M2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)

Inventar:

1500 Piese Noi Originale În Stoc
12872731
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STFI13N65M2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
590 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-281 (I2PAKFP)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Numărul de bază al produsului
STFI13N

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
-497-16016-5
497-16016-5
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STF13N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
862
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF13N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.76
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STL150N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT

stmicroelectronics

STL28N60M2

MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8

stmicroelectronics

STW18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

micro-commercial-components

SI3400A-TP

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23